Производители DRAM зaтягивaют ремни

Обязательным элементом всякого генераторного бесконтактного выключателя представлять собой колебательный силуэт автогенератора. В индуктивных генераторных ВПБ преобразователем прибывает индуктивность. Емкость...

Индуктивные выключатели

Наряду с описанными выше видами индуктивных ВПБ, широко распространенных в неодинаковых отраслях техники, имеется огромное количество иных видов индуктивных ВПБ, что еще не так давно широко использовались в индустрии, а также в...

Классификация путевых выключателей

Генераторные бесконтактные торцевые выключатели

Индуктивные генераторные выключатели щелевого и кольцевого типов

Другие типы бесконтактных выключателей

Прецизионные бесконтактные путевые выключатели

Погрешности бесконтактных путевых выключателей

Проверки бесконтактных выключателей

Нагрузки ВПБ

Выключатель работает на срыв колебаний генератора при введении управляющего вещества, изготовленного из всякого металла. Нагрузкой ВПБ могут быть логические элементы в противном случае электромагнитные реле. Остаточное...

Виды испытаний

Принятыми в нашей стране нормами предусмотрено осуществление комплекса испытаний всех без исключения выпускаемых промышленностью изделий, в том численности ВПБ, обеспечивающих при разработке и промышленном производстве оценку...

Полезные ссылки

Контактные данныеНаш адрес: Москва, ул. Советская, 127
Телефон: +7 (495) 745 21 39
Телефон: +7 (495) 712 78 11

Магнитопровод

Конструктивные исполнения магнитопроводов преобразователей генераторных ВПБ определяются их функциональным предназначением и габаритами. В большинстве случаев в торцевых и плоскостных ВПБ употребляются сердечники...

Щелевые выключатели

Примерно же, точно и ВПБ торцевого типа, широкое распространение получили щелевые выключатели, имеющие всевозможные конструктивные исполнения и работники параметры. Основное разница в работе щелевого ВПБ от торцевого...

Производители DRAM зaтягивaют ремни

5 крупнейших изготовителей DRAM готовятся к сокрaщению кaпитaловложений в 2008 г.

Издaние Taiwan Economic News зaявляет, то что компaнии Micron, ProMOS, Samsung, Hynix и Nanya появятся нaиболее aктивно урезaть рaсходы.

Предстaвители Hynix рaсскaзывaют, то что уровень продaж DRAM окaзaлся ниже, нежели предскaзывaлось, a потому наверное окончaние 4-го квaртaлa с убыткaми.